BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BUK9M3R3-40HX за ціною від 41.70 грн до 90.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M3R3-40HX | NXP |
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BUK9M3R3-40HX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BUK9M3R3-40HX | Nexperia |
MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 21913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BUK9M3R3-40HX |
|
Виробник: NXP
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.48 грн |
| BUK9M3R3-40HX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.43 грн |
| 10+ | 57.21 грн |
| 100+ | 50.12 грн |
| BUK9M3R3-40HX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 21913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.20 грн |
| 10+ | 61.69 грн |
| 100+ | 41.77 грн |
| 1500+ | 41.70 грн |