BUK9M3R3-40HX

BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.


BUK9M3R3-40H.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+50.47 грн
3000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M3R3-40HX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M3R3-40HX за ціною від 46.75 грн до 119.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M3R3-40HX BUK9M3R3-40HX Виробник : Nexperia BUK9M3R3-40H.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 42 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 22245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.03 грн
10+69.21 грн
100+46.82 грн
1500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX BUK9M3R3-40HX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M3R3-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3766 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+86.54 грн
100+65.84 грн
500+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX Виробник : NXP BUK9M3R3-40H.pdf N-MOSFET (Gate Level LL) 40V 3.3mOhm 80A 1.48K/W BUK9M3R3-40H TBUK9m3r3-40h
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA buk9m3r3-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX BUK9M3R3-40HX Виробник : Nexperia buk9m3r340h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA BUK9M3R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M3R3-40HX Виробник : NEXPERIA BUK9M3R3-40H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 475A; 101W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.