BUK9M42-60EX Nexperia
на замовлення 7817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 13.07 грн |
| 3000+ | 12.85 грн |
| 6000+ | 12.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M42-60EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M42-60EX за ціною від 11.67 грн до 44.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M42-60EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M42-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M42-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.03 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9M42-60EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M42-60EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V, 43 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9M42-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M42-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.03 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M42-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9M42-60EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.2A Pulsed drain current: 86A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BUK9M42-60EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15.2A; Idm: 86A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.2A Pulsed drain current: 86A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |