
BUK9M4R3-40HX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 52.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M4R3-40HX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M4R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0043 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BUK9M4R3-40HX за ціною від 41.12 грн до 135.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M4R3-40HX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
BUK9M4R3-40HX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A; 90W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 69A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A |
товару немає в наявності |