BUK9M5R0-40HX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 76.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M5R0-40HX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M5R0-40HX за ціною від 24.99 грн до 132.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 30 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9M5R0-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M5R0-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 83W Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |