Продукція > NEXPERIA > BUK9M5R0-40HX

BUK9M5R0-40HX Nexperia


buk9m5r040h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
380+93.28 грн
500+83.95 грн
1000+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 380 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M5R0-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції BUK9M5R0-40HX за ціною від 50.66 грн до 162.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Nexperia USA Inc. BUK9M5R0-40H.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+99.92 грн
50+75.59 грн
100+63.57 грн
500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX Nexperia BUK9M5R0-40H.pdf MOSFETs BUK9M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX NEXPERIA NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40HX NEXPERIA NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
10+99.92 грн
50+75.59 грн
100+63.57 грн
500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX BUK9M5R0-40H.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M5R0-40HX NEXP-S-A0009973852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M5R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5000 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.