BUK9M5R2-30EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 31.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M5R2-30EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M5R2-30EX за ціною від 26.93 грн до 111.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M5R2-30EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V, 60 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9M5R2-30EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2467 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9M5R2-30EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Виробник : NXP |
2xN-MOSFET 30V 70A 5V,10V 79W AUTOMOTIVE BUK9M5R2-30EX TBUK9m5r2-30ex кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
BUK9M5R2-30EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9M5R2-30EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63A Pulsed drain current: 358A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| BUK9M5R2-30EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; Idm: 358A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63A Pulsed drain current: 358A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |