BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.46 грн |
| 10+ | 38.74 грн |
| 100+ | 25.16 грн |
| 500+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50.4W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M60-100LX за ціною від 18.16 грн до 95.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M60-100LX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK9M60-100LX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 50.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK9M60-100LX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.15 грн |
| 10+ | 57.95 грн |
| 100+ | 31.34 грн |
| 500+ | 21.61 грн |
| 1000+ | 18.16 грн |
| BUK9M60-100LX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.84 грн |
| 14+ | 59.44 грн |
| 100+ | 38.74 грн |
| 500+ | 27.60 грн |
| 1000+ | 21.75 грн |