BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.79 грн |
| 10+ | 38.94 грн |
| 100+ | 25.29 грн |
| 500+ | 18.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50.4W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9M60-100LX за ціною від 18.25 грн до 96.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M60-100LX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9M60-100LX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 50.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9M60-100LX | Виробник : Nexperia |
N-channel Logic Level MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK9M60-100LX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |