Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9M60-100LX
BUK9M60-100LX

BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.

BUK9M60-100L.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9M60-100L/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1023 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.46 грн
10+38.74 грн
100+25.16 грн
500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M60-100LX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V, Verlustleistung: 50.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції BUK9M60-100LX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9M60-100LX BUK9M60-100LX Nexperia BUK9M60-100L.pdf MOSFETs BUK9M60-100L/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M60-100LX BUK9M60-100LX NEXPERIA BUK9M60-100L.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 50.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M60-100LX BUK9M60-100L.pdf
BUK9M60-100LX
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9M60-100L/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M60-100LX BUK9M60-100L.pdf
BUK9M60-100LX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M60-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.06 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
Verlustleistung: 50.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.