BUK9M67-60ELX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M67-60ELX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BUK9M67-60ELX за ціною від 22.11 грн до 89.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M67-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M67-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9M67-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M67-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M67-60ELX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 6.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9M67-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 45W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 148mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BUK9M67-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43.8mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9M67-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 85A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 45W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 148mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |