
BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.71 грн |
10+ | 56.80 грн |
100+ | 39.33 грн |
500+ | 29.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M6R6-30EX за ціною від 21.14 грн до 90.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M6R6-30EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M6R6-30EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK9M6R6-30EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BUK9M6R6-30EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK9M6R6-30EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 54.7A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BUK9M6R6-30EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BUK9M6R6-30EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 54.7A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 75W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |