BUK9M6R6-30EX

BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc.


BUK9M6R6-30E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.71 грн
10+56.80 грн
100+39.33 грн
500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9M6R6-30EX за ціною від 21.14 грн до 90.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX Виробник : Nexperia BUK9M6R6-30E.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 6.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.76 грн
10+62.37 грн
100+36.48 грн
500+29.58 грн
1000+24.07 грн
1500+22.09 грн
3000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX Виробник : NEXPERIA 268735546629567buk9m6r6-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX Виробник : Nexperia 268735546629567buk9m6r6-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX Виробник : Nexperia 268735546629567buk9m6r6-30e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M6R6-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 54.7A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX BUK9M6R6-30EX Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9M6R6-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2001 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M6R6-30EX Виробник : NEXPERIA BUK9M6R6-30E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 54.7A; Idm: 309A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 54.7A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 75W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.