
BUK9M7R2-40EX Nexperia
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 18.66 грн |
55+ | 11.02 грн |
56+ | 10.84 грн |
57+ | 10.29 грн |
100+ | 9.36 грн |
250+ | 8.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M7R2-40EX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M7R2-40EX за ціною від 23.49 грн до 63.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BUK9M7R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BUK9M7R2-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2567 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BUK9M7R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; Idm: 296A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 79W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |