BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9M85-60EX за ціною від 16.37 грн до 62.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9M85-60EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BUK9M85-60EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BUK9M85-60EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BUK9M85-60EX | Nexperia |
MOSFETs BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 8482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
BUK9M85-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9M85-60EX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.37 грн |
| BUK9M85-60EX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.02 грн |
| BUK9M85-60EX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.13 грн |
| 10+ | 37.02 грн |
| 100+ | 24.00 грн |
| 500+ | 17.24 грн |
| BUK9M85-60EX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs BUK9M85-60E/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 8482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9M85-60EX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9M85-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12.8 A, 0.059 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)