BUK9M9R5-40HX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 25.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9M9R5-40HX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BUK9M9R5-40HX за ціною від 21.88 грн до 44.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9M9R5-40HX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V, 9.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 |
на замовлення 50095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK9M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BUK9M9R5-40HX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 38.5A Pulsed drain current: 218A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 23.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BUK9M9R5-40HX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 38.5A; Idm: 218A; 55W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 38.5A Pulsed drain current: 218A Power dissipation: 55W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 23.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |