BUK9Q12-40HJ

BUK9Q12-40HJ Nexperia USA Inc.


 BUK9Q12-40H.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
18+18.66 грн
50+15.31 грн
100+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Q12-40HJ Nexperia USA Inc.

Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Supplier Device Package: MLPAK33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9Q12-40HJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Q12-40HJ BUK9Q12-40HJ Виробник : Nexperia USA Inc.  BUK9Q12-40H.pdf Description: LOGIC LEVEL N-CHANNEL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.