Продукція > NEXPERIA > BUK9V13-40HX

BUK9V13-40HX Nexperia


BUK9V13-40H.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.59 грн
10+76.21 грн
100+50.26 грн
500+40.87 грн
1000+40.80 грн
1500+31.89 грн
3000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9V13-40HX Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56D, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 46W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BUK9V13-40HX за ціною від 41.62 грн до 134.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9V13-40HX BUK9V13-40HX Nexperia USA Inc. BUK9V13-40H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.79 грн
100+55.87 грн
500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HX BUK9V13-40HX Nexperia USA Inc. BUK9V13-40H.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HX NXP TBUK9V13-40HX_NXP_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HX BUK9V13-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.36 грн
10+82.79 грн
100+55.87 грн
500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HX BUK9V13-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX_NXP_0001.pdf
Виробник: NXP
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.