BUK9Y104-100B,115

BUK9Y104-100B,115 Nexperia USA Inc.


BUK9Y104-100B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+22.02 грн
3000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y104-100B,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9Y104-100B,115 за ціною від 17.54 грн до 80.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y104-100B,115 BUK9Y104-100B,115 Виробник : Nexperia 3892255069927284buk9y104-100b.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.47 грн
3000+23.70 грн
9000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115 BUK9Y104-100B,115 Виробник : Nexperia 3892255069927284buk9y104-100b.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.43 грн
3000+25.39 грн
9000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115 BUK9Y104-100B,115 Виробник : Nexperia BUK9Y104_100B-2938212.pdf MOSFETs BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK
на замовлення 15891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.11 грн
10+50.23 грн
100+30.26 грн
500+25.30 грн
1500+21.17 грн
3000+18.52 грн
9000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115 BUK9Y104-100B,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y104-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.19 грн
10+48.68 грн
100+31.91 грн
500+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115 BUK9Y104-100B,115 Виробник : Nexperia 3892255069927284buk9y104-100b.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y104-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.