BUK9Y113-100E,115

BUK9Y113-100E,115 Nexperia USA Inc.


BUK9Y113-100E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y113-100E,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9Y113-100E,115 за ціною від 15.23 грн до 47.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y113-100E,115 BUK9Y113-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y113-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
10+35.86 грн
100+24.81 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115 BUK9Y113-100E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y113-100E.pdf MOSFETs BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 109414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.29 грн
10+39.93 грн
100+24.06 грн
500+20.16 грн
1000+17.14 грн
1500+16.99 грн
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115 BUK9Y113-100E,115 Виробник : NEXPERIA 3270160337314279buk9y113-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115 BUK9Y113-100E,115 Виробник : Nexperia 3270160337314279buk9y113-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y113-100E.pdf BUK9Y113-100E.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.