Продукція > NEXPERIA > BUK9Y12-100E,115
BUK9Y12-100E,115

BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA

1747220173492096buk9y12-100e.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+51.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y12-100E,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK9Y12-100E,115 за ціною від 48.96 грн до 154.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y12-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+59.55 грн
3000+ 54.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 238W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+91.34 грн
500+ 62.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y12-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.75 грн
10+ 100.4 грн
100+ 79.87 грн
500+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y12_100E-2937802.pdf MOSFET BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.39 грн
10+ 111.53 грн
100+ 77.05 грн
500+ 65.5 грн
1500+ 54.14 грн
3000+ 50.75 грн
9000+ 48.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+154.25 грн
10+ 123.7 грн
25+ 111.03 грн
100+ 91.34 грн
500+ 62.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : NEXPERIA 1747220173492096buk9y12-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : Nexperia 1747220173492096buk9y12-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-100E,115 Виробник : Nexperia 1747220173492096buk9y12-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній