на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 37.60 грн |
| 11+ | 32.92 грн |
| 100+ | 21.43 грн |
| 500+ | 19.14 грн |
| 1000+ | 16.92 грн |
| 1500+ | 16.30 грн |
| 3000+ | 15.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y12-40E,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y12-40E,115 за ціною від 18.19 грн до 64.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y12-40E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK9Y12-40E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36.7A; Idm: 208A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36.7A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 65W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 24.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |