Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y12-40E,115
BUK9Y12-40E,115

BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y12-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.

Інші пропозиції BUK9Y12-40E,115 за ціною від 14.92 грн до 78.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Nexperia 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+61.74 грн
240+60.96 грн
339+43.13 грн
343+41.16 грн
500+32.28 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Nexperia 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.34 грн
13+61.74 грн
25+60.96 грн
100+41.59 грн
250+38.11 грн
500+30.99 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.82 грн
10+43.81 грн
50+32.33 грн
100+26.84 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Nexperia BUK9Y12-40E.pdf MOSFETs BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.99 грн
10+48.58 грн
100+27.62 грн
500+21.23 грн
1000+18.19 грн
1500+16.18 грн
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 NEXPERIA BUK9Y12-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 3007489762389512buk9y12-40e.pdf
BUK9Y12-40E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+61.74 грн
240+60.96 грн
339+43.13 грн
343+41.16 грн
500+32.28 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 3007489762389512buk9y12-40e.pdf
BUK9Y12-40E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.34 грн
13+61.74 грн
25+60.96 грн
100+41.59 грн
250+38.11 грн
500+30.99 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E.pdf
BUK9Y12-40E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.82 грн
10+43.81 грн
50+32.33 грн
100+26.84 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E.pdf
BUK9Y12-40E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.99 грн
10+48.58 грн
100+27.62 грн
500+21.23 грн
1000+18.19 грн
1500+16.18 грн
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E.pdf
BUK9Y12-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.