BUK9Y12-40E,115

BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.


BUK9Y12-40E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 0.0088 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9Y12-40E,115 за ціною від 15.28 грн до 63.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+29.88 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y12-40E.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 52A
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.97 грн
11+32.38 грн
100+21.08 грн
500+18.82 грн
1000+16.64 грн
1500+16.03 грн
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y12-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 0.0088 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.56 грн
100+34.88 грн
500+25.96 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : Nexperia 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+51.54 грн
240+50.89 грн
339+36.00 грн
343+34.36 грн
500+26.94 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : Nexperia 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+63.80 грн
13+55.22 грн
25+54.52 грн
100+37.19 грн
250+34.09 грн
500+27.71 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : NEXPERIA 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Виробник : Nexperia 3007489762389512buk9y12-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y12-40E.pdf BUK9Y12-40E.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.