BUK9Y14-40B,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.77 грн |
| 10+ | 60.82 грн |
| 100+ | 40.48 грн |
| 500+ | 29.78 грн |
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Технічний опис BUK9Y14-40B,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y14-40B,115 за ціною від 27.16 грн до 137.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BUK9Y14-40B,115 | Nexperia |
MOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BUK9Y14-40B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y14-40B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9Y14-40B,115 |
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Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.42 грн |
| 10+ | 68.90 грн |
| 100+ | 39.03 грн |
| 500+ | 30.03 грн |
| 1000+ | 27.16 грн |
| BUK9Y14-40B,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 137.68 грн |
| 10+ | 86.35 грн |
| BUK9Y14-40B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: LFPAK56
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Produktpalette: TrenchMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




