Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y14-80E,115
BUK9Y14-80E,115

BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y14-80E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BUK9Y14-80E,115 за ціною від 35.90 грн до 93.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y14-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.14 грн
10+62.26 грн
100+44.84 грн
500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E,115 Nexperia BUK9Y14-80E.pdf MOSFETs BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 10731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E.pdf
BUK9Y14-80E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.14 грн
10+62.26 грн
100+44.84 грн
500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 BUK9Y14-80E.pdf
BUK9Y14-80E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 10731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115 NEXP-S-A0002883767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y14-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.