Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y153-100E,115
BUK9Y153-100E,115

BUK9Y153-100E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y153-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+14.53 грн
3000+12.74 грн
4500+12.11 грн
7500+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y153-100E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 37W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm.

Інші пропозиції BUK9Y153-100E,115 за ціною від 15.45 грн до 55.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 Nexperia 1728862397198864buk9y153-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1904+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 1904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 Nexperia 1728862397198864buk9y153-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.71 грн
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 Nexperia 1728862397198864buk9y153-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.76 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y153-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+33.29 грн
100+21.54 грн
500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 Nexperia BUK9Y153-100E.pdf MOSFETs BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E,115 NEXPERIA BUK9Y153-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 1728862397198864buk9y153-100e.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1904+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 1904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 1728862397198864buk9y153-100e.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.71 грн
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 1728862397198864buk9y153-100e.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.76 грн
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.51 грн
10+33.29 грн
100+21.54 грн
500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115 BUK9Y153-100E.pdf
BUK9Y153-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.