BUK9Y153-100E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 14.23 грн |
| 3000+ | 12.48 грн |
| 4500+ | 11.86 грн |
| 7500+ | 10.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y153-100E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y153-100E,115 за ціною від 10.49 грн до 83.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9Y153-100E,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT669 100V 9.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y153-100E,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y153-100E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUK9Y153-100E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 9.4A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 9.4A N-CH MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.83 грн |
| 11+ | 29.77 грн |
| 100+ | 18.92 грн |
| 500+ | 15.39 грн |
| 1000+ | 12.50 грн |
| 1500+ | 11.67 грн |
| 3000+ | 10.49 грн |
| BUK9Y153-100E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.36 грн |
| 10+ | 32.61 грн |
| 100+ | 21.10 грн |
| 500+ | 15.13 грн |
| BUK9Y153-100E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 83.76 грн |
| 16+ | 52.43 грн |
| 100+ | 33.91 грн |
| 500+ | 24.16 грн |




