Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y19-100E,115
BUK9Y19-100E,115

BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+33.03 грн
3000+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції BUK9Y19-100E,115 за ціною від 26.37 грн до 118.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 NEXPERIA BUK9Y19-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 NEXPERIA BUK9Y19-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.78 грн
100+46.59 грн
500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E,115 Nexperia BUK9Y19-100E.pdf MOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 26971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+74.39 грн
100+43.01 грн
500+33.83 грн
1000+29.41 грн
1500+27.06 грн
3000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E.pdf
BUK9Y19-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E.pdf
BUK9Y19-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E.pdf
BUK9Y19-100E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.17 грн
10+69.78 грн
100+46.59 грн
500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-100E.pdf
BUK9Y19-100E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y19-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 26971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.39 грн
10+74.39 грн
100+43.01 грн
500+33.83 грн
1000+29.41 грн
1500+27.06 грн
3000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.