BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 33.19 грн |
| 3000+ | 29.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y19-100E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y19-100E,115 за ціною від 30.32 грн до 122.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 38295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5085 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 100V 56A N-CH |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 81-90 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-100E,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BUK9Y19-100E,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; Idm: 226A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 226A Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A On-state resistance: 18mΩ |
товару немає в наявності |