
BUK9Y19-55B,115 Nexperia
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y19-55B,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9Y19-55B,115 за ціною від 5.96 грн до 92.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 110696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 41400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 41714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 38874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 Транзистор Код товару: 192495
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BUK9Y19-55B,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |