BUK9Y19-55B,115 Транзистор
Код товару: 192495
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: SOT-669
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BUK9Y19-55B,115 Транзистор за ціною від 32.17 грн до 129.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 18nC On-state resistance: 17.3mΩ Power dissipation: 85W Gate-source voltage: ±15V Drain current: 46A Drain-source voltage: 55V Pulsed drain current: 184A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 334 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BUK9Y19-55B,115 | Nexperia |
MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK |
на замовлення 21953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BUK9Y19-55B,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Pulsed drain current: 184A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 17.3mΩ
Power dissipation: 85W
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 46A
Drain-source voltage: 55V
Pulsed drain current: 184A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 75.17 грн |
| 10+ | 48.53 грн |
| 25+ | 43.71 грн |
| 100+ | 40.47 грн |
| 250+ | 38.64 грн |
| BUK9Y19-55B,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1992 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.18 грн |
| 10+ | 65.14 грн |
| 100+ | 43.33 грн |
| BUK9Y19-55B,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK9Y19-55B/SOT669/LFPAK
на замовлення 21953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.67 грн |
| 10+ | 80.18 грн |
| 50+ | 51.98 грн |
| 100+ | 46.18 грн |
| 1500+ | 34.79 грн |
| 3000+ | 32.17 грн |