BUK9Y19-75B,115 Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y19-75B,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SC-100, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y19-75B,115 за ціною від 33.06 грн до 89.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC On-state resistance: 48mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 106W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 192A Drain current: 34.1A Drain-source voltage: 75V |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3096 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 34.1A; Idm: 192A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC On-state resistance: 48mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 106W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 192A Drain current: 34.1A Drain-source voltage: 75V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BUK9Y19-75B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 48.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |