Продукція > NEXPERIA > BUK9Y1R3-40HX
BUK9Y1R3-40HX

BUK9Y1R3-40HX Nexperia

BUK9Y1R3-40H.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y1R3-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9Y1R3-40HX за ціною від 144.08 грн до 219.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40HX NEXPERIA BUK9Y1R3-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40HX NEXPERIA 2621602.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX Nexperia USA Inc. BUK9Y1R3-40H.pdf Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+178.14 грн
100+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40H.pdf
BUK9Y1R3-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX 2621602.pdf
BUK9Y1R3-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y1R3-40HX BUK9Y1R3-40H.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.79 грн
10+178.14 грн
100+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.