Продукція > NEXPERIA > BUK9Y25-80E,115
BUK9Y25-80E,115

BUK9Y25-80E,115 Nexperia

3007996856599227buk9y25-80e.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 256500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y25-80E,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK9Y25-80E,115 за ціною від 27.83 грн до 37.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia 3007996856599227buk9y25-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia 3007996856599227buk9y25-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia 3007996856599227buk9y25-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia 3007996856599227buk9y25-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia 3007996856599227buk9y25-80e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.32 грн
22+35.04 грн
25+34.91 грн
100+33.07 грн
250+30.08 грн
500+28.35 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y25-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 Nexperia BUK9Y25-80E.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET
на замовлення 70343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002935015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 NEXPERIA BUK9Y25-80E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 3007996856599227buk9y25-80e.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 3007996856599227buk9y25-80e.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
433+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 3007996856599227buk9y25-80e.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 3007996856599227buk9y25-80e.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 3007996856599227buk9y25-80e.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.32 грн
22+35.04 грн
25+34.91 грн
100+33.07 грн
250+30.08 грн
500+28.35 грн
1000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET
на замовлення 70343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 NEXP-S-A0002935015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y25-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E.pdf
BUK9Y25-80E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.