Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y29-40E,115

BUK9Y29-40E,115 Nexperia USA Inc.

Name: BUK9Y29-40E,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 3679218-3
Price: 19470.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1500+	12.98 грн
3000+	11.37 грн
4500+	10.79 грн
7500+	9.52 грн
10500+	9.16 грн
15000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BUK9Y29-40E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 37W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm.

Інші пропозиції BUK9Y29-40E,115 за ціною від 13.84 грн до 77.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BUK9Y29-40E,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.12 грн
500+	22.09 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.28 грн
11+	30.03 грн
100+	19.36 грн
500+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Nexperia

MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.39 грн
10+	50.43 грн
100+	28.63 грн
500+	22.34 грн
1000+	22.21 грн
1500+	17.32 грн
3000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.56 грн
17+	48.31 грн
100+	31.12 грн
500+	22.09 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.12 грн
500+	22.09 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.28 грн
11+	30.03 грн
100+	19.36 грн
500+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.39 грн
10+	50.43 грн
100+	28.63 грн
500+	22.34 грн
1000+	22.21 грн
1500+	17.32 грн
3000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BUK9Y29-40E,115

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	77.56 грн
17+	48.31 грн
100+	31.12 грн
500+	22.09 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.