Продукція > NEXPERIA > BUK9Y2R8-40HX
BUK9Y2R8-40HX

BUK9Y2R8-40HX Nexperia

buk9y2r8-40h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+89.57 грн
170+83.52 грн
179+79.45 грн
250+71.92 грн
500+63.81 грн
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y2R8-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, Verlustleistung: 172W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції BUK9Y2R8-40HX за ціною від 59.55 грн до 92.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX Nexperia buk9y2r8-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.86 грн
10+89.57 грн
25+83.52 грн
100+76.61 грн
250+66.59 грн
500+61.26 грн
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA 2621604.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA 2621604.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX buk9y2r8-40h.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.86 грн
10+89.57 грн
25+83.52 грн
100+76.61 грн
250+66.59 грн
500+61.26 грн
1000+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX 2621604.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX 2621604.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.