Продукція > NEXPERIA > BUK9Y2R8-40HX
BUK9Y2R8-40HX

BUK9Y2R8-40HX Nexperia

buk9y2r8-40h.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+88.97 грн
170+82.96 грн
179+78.92 грн
250+71.44 грн
500+63.39 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y2R8-40HX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 172W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK9Y2R8-40HX за ціною від 59.15 грн до 92.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX Nexperia buk9y2r8-40h.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.24 грн
10+88.97 грн
25+82.96 грн
100+76.10 грн
250+66.15 грн
500+60.85 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA BUK9Y2R8-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX NEXPERIA BUK9Y2R8-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX buk9y2r8-40h.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.24 грн
10+88.97 грн
25+82.96 грн
100+76.10 грн
250+66.15 грн
500+60.85 грн
1000+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40H.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40H.pdf
BUK9Y2R8-40HX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.