BUK9Y30-75B,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 98.23 грн |
| 12+ | 73.93 грн |
| 100+ | 55.89 грн |
| 500+ | 43.88 грн |
| 1000+ | 31.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y30-75B,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUK9Y30-75B,115 за ціною від 60.52 грн до 156.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BUK9Y30-75B,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 75V 34A |
товару немає в наявності |