Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y40-55B,115
BUK9Y40-55B,115

BUK9Y40-55B,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y40-55B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+22.27 грн
3000+19.66 грн
4500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y40-55B,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9Y40-55B,115 за ціною від 22.74 грн до 81.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 Nexperia 1502271171459353buk9y40-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1559+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 1559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 Nexperia 1502271171459353buk9y40-55b.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1559+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 1559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.14 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 Nexperia BUK9Y40-55B.pdf MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 NEXPERIA BUK9Y40-55B.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 1502271171459353buk9y40-55b.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1559+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 1559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 1502271171459353buk9y40-55b.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1559+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 1559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.55 грн
10+49.14 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B.pdf
BUK9Y40-55B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y40-55B,115 NEXP-S-A0002882355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y40-55B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.