Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y4R8-60E,115
BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y4R8-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+54.16 грн
3000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9Y4R8-60E,115 за ціною від 55.65 грн до 175.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+149.86 грн
500+142.83 грн
1000+134.64 грн
10000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+149.86 грн
500+142.83 грн
1000+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y4R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.50 грн
10+108.44 грн
100+74.02 грн
500+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia BUK9Y4R8-60E.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 NEXPERIA PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+149.86 грн
500+142.83 грн
1000+134.64 грн
10000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+149.86 грн
500+142.83 грн
1000+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.50 грн
10+108.44 грн
100+74.02 грн
500+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y4R8-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.