Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y4R8-60E,115
BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y4R8-60E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK9Y4R8-60E,115 за ціною від 54.46 грн до 150.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+92.94 грн
10+85.11 грн
25+85.02 грн
100+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.09 грн
133+91.55 грн
191+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y4R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.29 грн
10+81.57 грн
100+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y4R8-60E.pdf MOSFETs BUK9Y4R8-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.84 грн
10+97.90 грн
100+68.03 грн
500+60.99 грн
1500+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y4R8-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
10+96.33 грн
100+76.65 грн
500+63.83 грн
1000+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : NEXPERIA 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y4R8-60E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y4R8-60E.pdf BUK9Y4R8-60E.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.