BUK9Y59-60E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y59-60E,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y59-60E,115 за ціною від 11.75 грн до 43.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | Nexperia |
MOSFETs BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 109158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BUK9Y59-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.37 грн |
| 3000+ | 20.70 грн |
| 9000+ | 19.92 грн |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.42 грн |
| 3000+ | 20.75 грн |
| 9000+ | 19.97 грн |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 494+ | 28.74 грн |
| 575+ | 24.67 грн |
| 578+ | 24.53 грн |
| 616+ | 22.20 грн |
| 1000+ | 19.33 грн |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 16.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.03 грн |
| 27+ | 28.74 грн |
| 100+ | 23.79 грн |
| 250+ | 21.90 грн |
| 500+ | 19.73 грн |
| 1000+ | 18.56 грн |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.49 грн |
| 12+ | 25.80 грн |
| 100+ | 16.54 грн |
| 500+ | 11.75 грн |
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 109158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9Y59-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y59-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16.7 A, 0.044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





