BUK9Y6R0-60E,115

BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia USA Inc.


BUK9Y6R0-60E.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+50 грн
3000+ 45.74 грн
7500+ 44.02 грн
10500+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BUK9Y6R0-60E,115 за ціною від 40.42 грн до 129.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+82.24 грн
10+ 77.75 грн
25+ 76.98 грн
100+ 58.63 грн
250+ 52.62 грн
500+ 45.78 грн
1000+ 40.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
132+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 132
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y6R0_60E-2938125.pdf MOSFET BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.4 грн
10+ 86.32 грн
100+ 59.25 грн
250+ 57.72 грн
500+ 51.02 грн
1000+ 48.69 грн
1500+ 43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y6R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.63 грн
10+ 84.28 грн
100+ 67.06 грн
500+ 53.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 17994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+129.66 грн
10+ 105.81 грн
100+ 82.71 грн
500+ 52.1 грн
1500+ 47.07 грн
3000+ 46.18 грн
6000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : NEXPERIA 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній