Продукція > NEXPERIA > BUK9Y6R0-60E,115
BUK9Y6R0-60E,115

BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia

3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y6R0-60E,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUK9Y6R0-60E,115 за ціною від 38.91 грн до 158.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y6R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+101.96 грн
10+87.79 грн
25+86.91 грн
100+71.68 грн
250+65.71 грн
500+53.36 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y6R0_60E-2938125.pdf MOSFETs BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.89 грн
10+103.85 грн
100+71.86 грн
500+61.23 грн
1000+57.25 грн
1500+50.97 грн
3000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y6R0-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.95 грн
10+103.02 грн
100+74.61 грн
500+54.69 грн
1000+50.33 грн
5000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y6R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.12 грн
10+102.76 грн
100+73.10 грн
500+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : Nexperia 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Виробник : NEXPERIA 3012428208696281buk9y6r0-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.