
BUK9Y7R0-60ELX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0036 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 238.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238.4W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 100.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y7R0-60ELX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0036 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 238.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238.4W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BUK9Y7R0-60ELX за ціною від 61.72 грн до 215.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 238.4W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
BUK9Y7R0-60ELX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |