BUK9Y7R2-60E,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.62 грн |
| 3000+ | 34.42 грн |
| 4500+ | 33.02 грн |
| 7500+ | 29.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y7R2-60E,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції BUK9Y7R2-60E,115 за ціною від 40.04 грн до 130.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9Y7R2-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK9Y7R2-60E,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK9Y7R2-60E,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BUK9Y7R2-60E,115 | Nexperia |
MOSFETs BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK |
на замовлення 4573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9Y7R2-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 50.41 грн |
| BUK9Y7R2-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 50.41 грн |
| BUK9Y7R2-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.85 грн |
| 10+ | 80.27 грн |
| 100+ | 53.95 грн |
| 500+ | 40.04 грн |
| BUK9Y7R2-60E,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
MOSFETs BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 4573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




