Технічний опис BUK9Y8R5-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y8R5-80EX за ціною від 56.66 грн до 222.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUK9Y8R5-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 58.37 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 215+ | 66.10 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 66.10 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 74.06 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 469+ | 75.72 грн |
| 500+ | 72.49 грн |
| 1000+ | 68.47 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 469+ | 75.72 грн |
| 500+ | 72.49 грн |
| 1000+ | 68.47 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 105.77 грн |
| 10+ | 90.93 грн |
| 25+ | 90.02 грн |
| 100+ | 73.76 грн |
| 250+ | 67.80 грн |
| 500+ | 58.63 грн |
| 1000+ | 56.66 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.12 грн |
| 10+ | 137.98 грн |
| 50+ | 105.21 грн |
| 100+ | 88.83 грн |
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9Y8R5-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






