BUK9Y8R5-80EX Nexperia
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 52.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK9Y8R5-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y8R5-80EX за ціною від 54.39 грн до 248.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N CHAN 80V |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BUK9Y8R5-80EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |