Продукція > NEXPERIA > BUK9Y8R7-60E,115
BUK9Y8R7-60E,115

BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia


3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+33.48 грн
3000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BUK9Y8R7-60E,115 за ціною від 33.39 грн до 125.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia 3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y8R7-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia 3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK9Y8R7-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+71.10 грн
100+55.30 грн
500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia BUK9Y8R7-60E.pdf MOSFETs BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.45 грн
10+83.39 грн
100+50.57 грн
500+41.03 грн
1500+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.96 грн
11+81.75 грн
100+56.97 грн
500+42.89 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : NEXPERIA 3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia 3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : Nexperia 3003307218016292buk9y8r7-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y8R7-60E,115 Виробник : NEXPERIA BUK9Y8R7-60E.pdf BUK9Y8R7-60E.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.