BUK9Y8R8-60ELX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Технічний опис BUK9Y8R8-60ELX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 194W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK9Y8R8-60ELX за ціною від 74.08 грн до 146.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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BUK9Y8R8-60ELX | Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y8R8-60ELX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 110A |
на замовлення 7159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
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BUK9Y8R8-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
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BUK9Y8R8-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 194W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUK9Y8R8-60ELX |
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Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.01 грн |
| 10+ | 117.27 грн |
| 100+ | 93.29 грн |
| 500+ | 74.08 грн |
| BUK9Y8R8-60ELX |
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Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 110A
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 110A
на замовлення 7159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUK9Y8R8-60ELX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 194W
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUK9Y8R8-60ELX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 4400 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 110A
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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