BUL1102E STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUL1102E STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 2 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BUL1102E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUL1102E | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUL1102E |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
Bipolar Transistors - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)