Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BUL1102EFP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BUL1102EFP | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
BUL1102EFP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102EFP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 4 A, 30 W, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUL1102EFP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor
Bipolar Transistors - BJT High volt fast-switching NPN power transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
| BUL1102EFP |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102EFP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 4 A, 30 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - BUL1102EFP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 4 A, 30 W, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




