Продукція > STMICROELECTRONICS > BUL216
BUL216

BUL216 STMicroelectronics

11723cd00000009.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUL216 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BUL216 за ціною від 11.30 грн до 256.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+125.42 грн
109+112.20 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.50 грн
10+69.62 грн
29+31.22 грн
80+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.20 грн
10+86.76 грн
29+37.46 грн
80+35.38 грн
3750+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+216.78 грн
10+117.24 грн
100+104.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics en.CD00000009.pdf Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.63 грн
50+114.88 грн
100+103.70 грн
500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.17 грн
10+126.99 грн
100+113.97 грн
500+89.20 грн
1000+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216 Виробник : STMicroelectronics bul216-1849051.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.52 грн
10+126.85 грн
100+99.42 грн
500+80.55 грн
1000+74.74 грн
2000+72.42 грн
5000+71.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 BUL216
Код товару: 82997
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST 1021_datasheet_bul216.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1600 V
Ic,A: 4 A
h21: 40
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+11.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 Виробник : STMicroelectronics 11723cd00000009.pdf Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL216 Виробник : onsemi / Fairchild en.CD00000009.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.