BUL216 ST
Код товару: 82997
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1600 V
Ic,A: 4 A
h21: 40
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BUL216 за ціною від 57.41 грн до 240.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 4A Power dissipation: 90W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 90 W |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUL216 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
товару немає в наявності |