BUL216 ST
Код товару: 82997
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 800 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1600 В
Струм колектора Ic, А: 4 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 40
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BUL216 за ціною від 57.82 грн до 239.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUL216 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUL216 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUL216 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 800V Power dissipation: 90W Polarisation: bipolar Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Type of transistor: NPN Current gain: 40 Collector current: 4A |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUL216 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 90 W |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUL216 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
на замовлення 8520 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUL216 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 90W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.09 грн |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.09 грн |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Collector current: 4A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220AB; 1.23÷1.32mm
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Collector current: 4A
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 201.63 грн |
| 10+ | 111.58 грн |
| 50+ | 93.61 грн |
| 100+ | 86.41 грн |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.08 грн |
| 50+ | 98.16 грн |
| 100+ | 88.52 грн |
| 500+ | 67.20 грн |
| 1000+ | 62.11 грн |
| 2000+ | 57.82 грн |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.99 грн |
| 10+ | 118.28 грн |
| 100+ | 91.59 грн |
| 500+ | 74.25 грн |
| 1000+ | 64.26 грн |
| 5000+ | 63.36 грн |
| 10000+ | 61.79 грн |
| BUL216 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






