BUL216 STMicroelectronics
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUL216 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BUL216 за ціною від 11.30 грн до 253.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 4A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 90 W |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
BUL216 NPN THT transistors |
на замовлення 362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BUL216 Код товару: 82997
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Uceo,V: 800 V Ucbo,V: 1600 V Ic,A: 4 A h21: 40 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
| BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BUL216 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |