BUL216 STMicroelectronics
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUL216 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції BUL216 за ціною від 32.83 грн до 205.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 4A Power dissipation: 90W Case: TO220 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 4A; 90W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 4A Power dissipation: 90W Case: TO220 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
на замовлення 3363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BUL216 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 4 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 28998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
BUL216 Код товару: 82997 |
Виробник : ST |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Uceo,V: 800 V Ucbo,V: 1600 V Ic,A: 4 A h21: 40 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
 |
BUL216 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 800V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 660mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 400mA, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 90 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BUL216 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |