Продукція > STMICROELECTRONICS > BUL89
BUL89

BUL89 STMicroelectronics

sgsts36722_1-2282355.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUL89 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BUL89 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 110 W, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 10, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції BUL89

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUL89 BUL89 STMicroelectronics Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Power - Max: 110 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL89 BUL89 STMICROELECTRONICS 1700471.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BUL89 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 110 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL89
BUL89
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220
Power - Max: 110 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL89 1700471.pdf
BUL89
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BUL89 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 110 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.