BUP213 - Транзисторы - IGBT

BUP213

BUP213

Код товара: 3798
Производитель:
Транзисторы - IGBT

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание BUP213

  • IGBT, TO-220
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:32A
  • Max Voltage Vce Sat:2.7V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Device Marking:BUP213
  • Fall Time Tf:95ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:64A
  • Rise Time:70ns

Цена BUP213 от 0 грн до 0 грн

BUP213
BUP213
Производитель: Infineon Technologies
IGBT 1200V 32A 200W TO220; Supplier Device Package : TO-220AB; Package / Case : TO-220-3; Mounting Type : Through Hole; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Test Condition : 600V, 15A, 82Ohm, 15V; Td (on/off) @ 25°C : 70ns/400ns; Input Type : Standard; Power - Max : 200W; Vce(on) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 15A; Current - Collector Pulsed (Icm) : 64A; Current - Collector (Ic) (Max) : 32A; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V; Part Status : Obsolete; Packaging : Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
BUP213
Производитель: INF
07+;
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 28450 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
BUP213
Производитель:

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 15200 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)