Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUP213
- IGBT, TO-220
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:32A
- Max Voltage Vce Sat:2.7V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:25`C
- Device Marking:BUP213
- Fall Time Tf:95ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Format:GCE
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:64A
- Rise Time:70ns
Інші пропозиції BUP213
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BUP213 | Виробник : INF |
 07+; |
на замовлення 28450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BUP213 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 32A 200W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 70ns/400ns Test Condition: 600V, 15A, 82Ohm, 15V Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|
 |
BUP213 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A |
товару немає в наявності |