Технічний опис BUT11AFTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BUT11AFTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUT11AFTU | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-220F Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BUT11AFTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BUT11AFTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUT11AFTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)