Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BUZ11-NR4941
BUZ11-NR4941

BUZ11-NR4941

BUZ11-D.PDF
Код товару: 184234
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BUZ11-NR4941 за ціною від 40.09 грн до 158.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+62.45 грн
1000+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+64.49 грн
248+57.54 грн
500+47.69 грн
1600+45.54 грн
3200+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: N
Technology: PowerTrench®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.76 грн
6+76.42 грн
10+67.99 грн
22+44.33 грн
59+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.56 грн
6+78.74 грн
10+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ON Semiconductor 4513925598849966buz11.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.79 грн
12+64.55 грн
100+57.59 грн
500+46.02 грн
1600+42.20 грн
3200+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi BUZ11-D.PDF Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.74 грн
10+93.27 грн
50+70.73 грн
100+59.57 грн
500+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 onsemi BUZ11-D.PDF MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.19 грн
10+97.77 грн
100+56.07 грн
500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+62.45 грн
1000+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
222+64.49 грн
248+57.54 грн
500+47.69 грн
1600+45.54 грн
3200+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 50V; 30A; 75W; TO220; single transistor
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Polarisation: N
Technology: PowerTrench®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.76 грн
6+76.42 грн
10+67.99 грн
22+44.33 грн
59+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.56 грн
6+78.74 грн
10+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 4513925598849966buz11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.79 грн
12+64.55 грн
100+57.59 грн
500+46.02 грн
1600+42.20 грн
3200+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.74 грн
10+93.27 грн
50+70.73 грн
100+59.57 грн
500+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-D.PDF
BUZ11-NR4941
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.19 грн
10+97.77 грн
100+56.07 грн
500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.