Інші пропозиції BUZ11-NR4941 за ціною від 27.01 грн до 142.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BUZ11-NR4941 | onsemi |
MOSFETs N-Channel 50V 33A |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 119517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 44.74 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 572+ | 61.76 грн |
| 1000+ | 56.96 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 110.84 грн |
| 6+ | 79.66 грн |
| 10+ | 69.03 грн |
| 50+ | 49.79 грн |
| 100+ | 43.93 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.87 грн |
| 50+ | 54.40 грн |
| 100+ | 48.58 грн |
| 500+ | 35.97 грн |
| 1000+ | 32.87 грн |
| 2000+ | 30.27 грн |
| 5000+ | 27.01 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.89 грн |
| 12+ | 63.79 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel 50V 33A
MOSFETs N-Channel 50V 33A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 119517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







