BUZ111SLE3045A Siemens
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUZ111SLE3045A Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A, Power Dissipation (Max): 300W, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V.
Інші пропозиції BUZ111SLE3045A за ціною від 82.51 грн до 118.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| BUZ111SLE3045A | Siemens Wireless Modules |
BUZ111SLE3045A |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| BUZ111SLE3045A | Infineon Technologies |
BUZ111SL-E3045A |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BUZ111SL-E3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 82.51 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Siemens Wireless Modules
BUZ111SLE3045A
BUZ111SLE3045A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 303+ | 117.07 грн |
| 500+ | 105.36 грн |
| 1000+ | 97.16 грн |
| BUZ111SLE3045A |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BUZ111SL-E3045A
BUZ111SL-E3045A
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 118.03 грн |
| 500+ | 106.23 грн |
| 1000+ | 97.96 грн |



