Технічний опис BUZ31 INF
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BUZ31
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ31 | Infineon |
 (MFET,N-CH,200V,13.5A,75W,TO-220) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BUZ31 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BUZ31 | Infineon Technologies |
GaN FETs N-Ch 200V 14.5A TO220-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BUZ31 |
|
Виробник: Infineon
(MFET,N-CH,200V,13.5A,75W,TO-220) Транзистори
(MFET,N-CH,200V,13.5A,75W,TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ31 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ31 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs N-Ch 200V 14.5A TO220-3
GaN FETs N-Ch 200V 14.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.