BUZ31 INFINEON


BUZ31.pdf Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUZ31 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUZ31

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BUZ31 Виробник : INF BUZ31.pdf TO-220
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUZ31 BUZ31 Виробник : Infineon Technologies buz31 rev 2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
BUZ31 BUZ31 Виробник : Infineon Technologies BUZ31.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
товар відсутній
BUZ31 BUZ31 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BUZ31LH-DS-v02_04-en-522762.pdf MOSFET N-Ch 200V 14.5A TO220-3
товар відсутній