Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BUZ31H3046XKSA1
BUZ31H3046XKSA1

BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies

BUZ31_H3046.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUZ31H3046XKSA1 за ціною від 50.92 грн до 72.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Виробник : Infineon Technologies buz31h3046_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
422+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 422
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Виробник : Infineon Technologies buz31h3046_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
422+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 422
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS BUZ31_H3046.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31H3046XKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
477+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 477
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Виробник : Infineon Technologies buz31h3046_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Виробник : Infineon Technologies BUZ31_H3046.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BUZ31H3046-DS-v02_00-en-1226572.pdf MOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.