BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 64.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ31HXKSA1 за ціною від 60.58 грн до 86.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BUZ31HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BUZ31HXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ31HXKSA1 - BUZ31 - 120V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false productTraceability: No usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BUZ31HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
BUZ31HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |