BUZ31L H Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUZ31L H Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ31L H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUZ31L H | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 200V 13.5A TO220-3 |
товару немає в наявності |